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  • 水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm)

    水溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由親水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)580nm~600nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm)

    更新時間:2024-09-23
    產(chǎn)品型號:
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  • 水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm)

    水溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由親水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)580nm~600nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm)

    更新時間:2024-09-23
    產(chǎn)品型號:
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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm)

    水溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由親水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)580nm~600nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm)

    更新時間:2024-09-23
    產(chǎn)品型號:
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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm)

    水溶性Mn摻雜結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)產(chǎn)品,表面由親水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)580nm~600nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm)

    更新時間:2024-09-23
    產(chǎn)品型號:
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  • 水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射800±20nm)

    水溶性CuInS2/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS2為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為30%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)550nm~800nm任一波長的產(chǎn)品。水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射800±20nm)

    更新時間:2024-09-20
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